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Taiwan Semiconductor Corporation TSM1NB60CW RPG

Numero parte MFG
TSM1NB60CW RPG
quantità disponibile
75770 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.151408
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Data di spedizione
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fabbricante
Taiwan Semiconductor Corporation
Breve descrizione
- MOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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TSM1NB60CW RPG specificazioni

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Numero di parte futuro FT-TSM1NB60CW RPG
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
TSM1NB60CW RPG Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.1nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 138pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 39W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-223
Pacchetto / caso TO-261-4, TO-261AA
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM1NB60CW RPG Peso Contattaci
Numero parte di ricambio TSM1NB60CW RPG-FT

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