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Taiwan Semiconductor Corporation TSM900N06CW RPG

Numero parte MFG
TSM900N06CW RPG
quantità disponibile
41710 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.1204
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Data di spedizione
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fabbricante
Taiwan Semiconductor Corporation
Breve descrizione
- MOSFET N-CHANNEL 60V 11A SOT223
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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TSM900N06CW RPG specificazioni

codice articolo del costruttore TSM900N06CW RPG
Numero di parte futuro FT-TSM900N06CW RPG
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
TSM900N06CW RPG Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.3nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 15V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 25W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-223
Pacchetto / caso TO-261-4, TO-261AA
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM900N06CW RPG Peso Contattaci
Numero parte di ricambio TSM900N06CW RPG-FT

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