casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SSM4K27CTTPL3
codice articolo del costruttore | SSM4K27CTTPL3 |
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Numero di parte futuro | FT-SSM4K27CTTPL3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | U-MOSIII |
SSM4K27CTTPL3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 500mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 205 mOhm @ 250mA, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 174pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 400mW (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | CST4 (1.2x0.8) |
Pacchetto / caso | 4-SMD, No Lead |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SSM4K27CTTPL3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SSM4K27CTTPL3-FT |
TK17N65W,S1F
Toshiba Semiconductor and Storage
TK20N60W,S1VF
Toshiba Semiconductor and Storage
TK31N60W5,S1VF
Toshiba Semiconductor and Storage
TK35N65W5,S1F
Toshiba Semiconductor and Storage
TK39N60W5,S1VF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6J206FE(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6K202FE,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6K211FE,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6J207FE,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6J212FE,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
EP4S100G5F45I3
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel