casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SSM4K27CTTPL3
codice articolo del costruttore | SSM4K27CTTPL3 |
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Numero di parte futuro | FT-SSM4K27CTTPL3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | U-MOSIII |
SSM4K27CTTPL3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 500mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 205 mOhm @ 250mA, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 174pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 400mW (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | CST4 (1.2x0.8) |
Pacchetto / caso | 4-SMD, No Lead |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SSM4K27CTTPL3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SSM4K27CTTPL3-FT |
TK17N65W,S1F
Toshiba Semiconductor and Storage
TK20N60W,S1VF
Toshiba Semiconductor and Storage
TK31N60W5,S1VF
Toshiba Semiconductor and Storage
TK35N65W5,S1F
Toshiba Semiconductor and Storage
TK39N60W5,S1VF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6J206FE(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6K202FE,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6K211FE,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6J207FE,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6J212FE,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel