casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SSM6K202FE,LF
codice articolo del costruttore | SSM6K202FE,LF |
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Numero di parte futuro | FT-SSM6K202FE,LF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SSM6K202FE,LF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.3A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 1.5A, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 270pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | ES6 (1.6x1.6) |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SSM6K202FE,LF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SSM6K202FE,LF-FT |
SIHG050N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHG065N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHG100N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHG180N60E-GE3
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SIHG21N65EF-GE3
Vishay Siliconix
SIHG22N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHG22N65E-GE3
Vishay Siliconix
SIHG24N65E-E3
Vishay Siliconix
SIHG24N65E-GE3
Vishay Siliconix
SIHG28N60EF-GE3
Vishay Siliconix
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel