casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SSM6J212FE,LF
codice articolo del costruttore | SSM6J212FE,LF |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SSM6J212FE,LF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | U-MOSVI |
SSM6J212FE,LF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40.7 mOhm @ 3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.1nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 970pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | ES6 |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SSM6J212FE,LF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SSM6J212FE,LF-FT |
SIHG180N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHG21N65EF-GE3
Vishay Siliconix
SIHG22N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHG22N65E-GE3
Vishay Siliconix
SIHG24N65E-E3
Vishay Siliconix
SIHG24N65E-GE3
Vishay Siliconix
SIHG28N60EF-GE3
Vishay Siliconix
SIHG28N65EF-GE3
Vishay Siliconix
SIHG30N60E-E3
Vishay Siliconix
SIHG33N60E-GE3
Vishay Siliconix
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel