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Toshiba Semiconductor and Storage TK35N65W5,S1F

Numero parte MFG
TK35N65W5,S1F
quantità disponibile
18100 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 5.420264
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Data di spedizione
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fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
DTMOSIV MOSFET N-CH 650V 35A TO-247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore TK35N65W5,S1F
Numero di parte futuro FT-TK35N65W5,S1F
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie DTMOSIV
TK35N65W5,S1F Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 35A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 95 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 2.1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 115nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4100pF @ 300V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 270W (Tc)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247
Pacchetto / caso TO-247-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK35N65W5,S1F Peso Contattaci
Numero parte di ricambio TK35N65W5,S1F-FT

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