casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SSM3K376R,LF
codice articolo del costruttore | SSM3K376R,LF |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SSM3K376R,LF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | U-MOSVII-H |
SSM3K376R,LF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56 mOhm @ 2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.2nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | +12V, -8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23F |
Pacchetto / caso | SOT-23-3 Flat Leads |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SSM3K376R,LF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SSM3K376R,LF-FT |
SSM3K16CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3J15CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3J16CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3J35CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3J56ACT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3K15ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3K15ACT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3K15CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3K16CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3K37CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel