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Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35CT,L3F
- Numero parte MFG
- SSM3J35CT,L3F
- quantità disponibile
- 71160 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0.034
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- Data di spedizione
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- fabbricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Breve descrizione
- π-MOSVI MOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFETs - Single
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- SSM3J35CT,L3F.pdf
SSM3J35CT,L3F specificazioni
| codice articolo del costruttore | SSM3J35CT,L3F |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-SSM3J35CT,L3F |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | π-MOSVI |
| SSM3J35CT,L3F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100mA (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.2V, 4V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 50mA, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (massimo) | ±10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 12.2pF @ 3V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 100mW (Ta) |
| temperatura di esercizio | 150°C |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | CST3 |
| Pacchetto / caso | SC-101, SOT-883 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SSM3J35CT,L3F Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | SSM3J35CT,L3F-FT |
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