casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SSM3K15ACT,L3F
codice articolo del costruttore | SSM3K15ACT,L3F |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SSM3K15ACT,L3F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | U-MOSIII |
SSM3K15ACT,L3F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6 Ohm @ 10mA, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 13.5pF @ 3V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 100mW (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | CST3 |
Pacchetto / caso | SC-101, SOT-883 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SSM3K15ACT,L3F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SSM3K15ACT,L3F-FT |
SSM6J207FE,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6J212FE,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6J53FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6J215FE(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6J213FE(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6J214FE(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6J216FE,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6P16FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6K217FE,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM5N15FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO2-7000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
Intel