casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SSM3K15ACT,L3F
codice articolo del costruttore | SSM3K15ACT,L3F |
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Numero di parte futuro | FT-SSM3K15ACT,L3F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | U-MOSIII |
SSM3K15ACT,L3F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6 Ohm @ 10mA, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 13.5pF @ 3V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 100mW (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | CST3 |
Pacchetto / caso | SC-101, SOT-883 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SSM3K15ACT,L3F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SSM3K15ACT,L3F-FT |
SSM6J207FE,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6J212FE,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6J53FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6J215FE(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6J213FE(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6J214FE(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6J216FE,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6P16FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6K217FE,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM5N15FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
LFEC3E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX24-3PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XCS40-4BG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3CSG324C
Xilinx Inc.
APA750-FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B7U15C8N
Intel