casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SSM3J15CT(TPL3)
codice articolo del costruttore | SSM3J15CT(TPL3) |
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Numero di parte futuro | FT-SSM3J15CT(TPL3) |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | π-MOSVI |
SSM3J15CT(TPL3) Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 Ohm @ 10mA, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9.1pF @ 3V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 100mW (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | CST3 |
Pacchetto / caso | SC-101, SOT-883 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SSM3J15CT(TPL3) Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SSM3J15CT(TPL3)-FT |
TK35N65W5,S1F
Toshiba Semiconductor and Storage
TK39N60W5,S1VF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6J206FE(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6K202FE,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6K211FE,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6J207FE,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6J212FE,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6J53FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6J215FE(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6J213FE(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel