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Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K318R,LF

Name: SSM3K318R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3K318R,LF
Price: 0.0924 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (326 reviews)

Numero parte MFG: SSM3K318R,LF

quantità disponibile: 29210 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.0924

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione: U-MOSIV MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: SSM3K318R,LF.pdf

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SSM3K318R,LF specificazioni

codice articolo del costruttore	SSM3K318R,LF
Numero di parte futuro	FT-SSM3K318R,LF
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	U-MOSIV
SSM3K318R,LF Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	107 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	235pF @ 30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1W (Ta)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-23F
Pacchetto / caso	SOT-23-3 Flat Leads
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SSM3K318R,LF Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	SSM3K318R,LF-FT

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