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Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K318R,LF

Numero parte MFG
SSM3K318R,LF
quantità disponibile
29210 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.0924
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Data di spedizione
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fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
U-MOSIV MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore SSM3K318R,LF
Numero di parte futuro FT-SSM3K318R,LF
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie U-MOSIV
SSM3K318R,LF Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 107 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 235pF @ 30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23F
Pacchetto / caso SOT-23-3 Flat Leads
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SSM3K318R,LF Peso Contattaci
Numero parte di ricambio SSM3K318R,LF-FT

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