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Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J216FE,LF

Numero parte MFG
SSM6J216FE,LF
quantità disponibile
31970 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.1056
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Data di spedizione
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fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
U-MOSVI MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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SSM6J216FE,LF specificazioni

codice articolo del costruttore SSM6J216FE,LF
Numero di parte futuro FT-SSM6J216FE,LF
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie U-MOSVI
SSM6J216FE,LF Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.7nC @ 4.5V
Vgs (massimo) ±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1040pF @ 12V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 700mW (Ta)
temperatura di esercizio 150°C
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore ES6
Pacchetto / caso SOT-563, SOT-666
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SSM6J216FE,LF Peso Contattaci
Numero parte di ricambio SSM6J216FE,LF-FT

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