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Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J216FE,LF

Name: SSM6J216FE,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6J216FE,LF
Price: 0.1056 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (330 reviews)

Numero parte MFG: SSM6J216FE,LF

quantità disponibile: 31970 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.1056

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione: U-MOSVI MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: SSM6J216FE,LF.pdf

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SSM6J216FE,LF specificazioni

codice articolo del costruttore	SSM6J216FE,LF
Numero di parte futuro	FT-SSM6J216FE,LF
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	U-MOSVI
SSM6J216FE,LF Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4.8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	32 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12.7nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1040pF @ 12V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	700mW (Ta)
temperatura di esercizio	150°C
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	ES6
Pacchetto / caso	SOT-563, SOT-666
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SSM6J216FE,LF Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	SSM6J216FE,LF-FT

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