casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SRA8150HC0G
codice articolo del costruttore | SRA8150HC0G |
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Numero di parte futuro | FT-SRA8150HC0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SRA8150HC0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SRA8150HC0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SRA8150HC0G-FT |
GPA801HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GPA802 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GPA802HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GPA803 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GPA803HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GPA804 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GPA804HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GPA806 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GPA806HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GPA807 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-2XA
Intel
5SGXMA7N2F45C2
Intel
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
LFXP3E-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C6
Intel
EP1C12F324C8
Intel
EPF6024AQC208-3
Intel