casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / GPA806 C0G
codice articolo del costruttore | GPA806 C0G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-GPA806 C0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GPA806 C0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 8A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GPA806 C0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GPA806 C0G-FT |
CRS03(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRG01(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRG02(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS05(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS12(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS20I30A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CRH01(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS01(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS04(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS08(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC2V1500-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC4010E-1PQ208C
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FGG484
Microsemi Corporation
10AX027H3F35E2LG
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XCV150-6BG256C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel