casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / GPA807 C0G
codice articolo del costruttore | GPA807 C0G |
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Numero di parte futuro | FT-GPA807 C0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GPA807 C0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 8A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GPA807 C0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GPA807 C0G-FT |
CRG02(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS05(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS12(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS20I30A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CRH01(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS01(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS04(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS08(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS09(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS11(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel