casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / GPA802HC0G
codice articolo del costruttore | GPA802HC0G |
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Numero di parte futuro | FT-GPA802HC0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
GPA802HC0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 8A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GPA802HC0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GPA802HC0G-FT |
CRS11(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRF03(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRG03(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRG04(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRH01(TE85R,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS03(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRG01(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRG02(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS05(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS12(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
A54SX08A-1TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EX128-TQ100A
Microsemi Corporation
XCKU5P-2FFVB676E
Xilinx Inc.
XC7S100-1FGGA676C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1K100FC256-1
Intel
XC7K70T-1FBG484I
Xilinx Inc.
LFX200B-04F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation