casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / GPA802HC0G
codice articolo del costruttore | GPA802HC0G |
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Numero di parte futuro | FT-GPA802HC0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
GPA802HC0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 8A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GPA802HC0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GPA802HC0G-FT |
CRS11(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRF03(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRG03(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRG04(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRH01(TE85R,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS03(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRG01(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRG02(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS05(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS12(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC7A50T-L1CSG325I
Xilinx Inc.
APA600-CGS624M
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-2FGG484
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3DQC
Microchip Technology
A42MX24-PL84M
Microsemi Corporation
AGL250V2-FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F780C6N
Intel
EPF10K30RC240-3
Intel
EP20K400ERC208-3
Intel