casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SQJA64EP-T1_GE3
codice articolo del costruttore | SQJA64EP-T1_GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SQJA64EP-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQJA64EP-T1_GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 670pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 45W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQJA64EP-T1_GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SQJA64EP-T1_GE3-FT |
2N6660JTVP02
Vishay Siliconix
2N6660JTX02
Vishay Siliconix
2N6660JTXL02
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2N6660JTXP02
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2N6660JTXV02
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2N6661-2
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2N6661-E3
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2N6661JAN02
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2N6661JTVP02
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2N6661JTX02
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A54SX32A-TQG176M
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M1AFS250-FG256
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APA600-FG676I
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