casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / 2N6660JTX02
codice articolo del costruttore | 2N6660JTX02 |
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Numero di parte futuro | FT-2N6660JTX02 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N6660JTX02 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 990mA (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 725mW (Ta), 6.25W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-205AD (TO-39) |
Pacchetto / caso | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N6660JTX02 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N6660JTX02-FT |
SQM40031EL_GE3
Vishay Siliconix
SQM47N10-24L_GE3
Vishay Siliconix
SQM50P04-09L_GE3
Vishay Siliconix
SUM90N03-2M2P-E3
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IRFZ48RSPBF
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SUM110P06-08L-E3
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SUM55P06-19L-E3
Vishay Siliconix
SIHB30N60AEL-GE3
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SQM50P03-07_GE3
Vishay Siliconix
SUM110N04-03P-E3
Vishay Siliconix
XC3S400-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA450-BGG456
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
A42MX24-1TQG176
Microsemi Corporation
APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
Intel
EP20K1000CF33C7N
Intel