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Vishay Siliconix 2N6661JAN02

Numero parte MFG
2N6661JAN02
quantità disponibile
49330 pezzi
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fabbricante
Vishay Siliconix
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-2N6661JAN02
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
2N6661JAN02 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 90V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 860mA (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-39
Pacchetto / caso TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
2N6661JAN02 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio 2N6661JAN02-FT

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