casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / 2N6660JTXV02
codice articolo del costruttore | 2N6660JTXV02 |
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Numero di parte futuro | FT-2N6660JTXV02 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N6660JTXV02 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 990mA (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 725mW (Ta), 6.25W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-205AD (TO-39) |
Pacchetto / caso | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N6660JTXV02 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N6660JTXV02-FT |
SUM90N03-2M2P-E3
Vishay Siliconix
IRFZ48RSPBF
Vishay Siliconix
SUM110P06-08L-E3
Vishay Siliconix
SUM55P06-19L-E3
Vishay Siliconix
SIHB30N60AEL-GE3
Vishay Siliconix
SQM50P03-07_GE3
Vishay Siliconix
SUM110N04-03P-E3
Vishay Siliconix
SUM110N04-04-E3
Vishay Siliconix
SUM52N20-39P-E3
Vishay Siliconix
SIHB22N60AE-GE3
Vishay Siliconix
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
Intel
EP4SGX530KF43C3
Intel
A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
Intel
EP20K60EFC324-1
Intel
EP2S60F1020C5
Intel