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Toshiba Semiconductor and Storage TK60D08J1(Q)

Name: TK60D08J1(Q)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK60D08J1(Q)
Availability: InStock
Rating: 4.7 (574 reviews)

Numero parte MFG: TK60D08J1(Q)

quantità disponibile: 62490 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 75V 60A TO220W

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: TK60D08J1(Q).pdf

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TK60D08J1(Q) specificazioni

codice articolo del costruttore	TK60D08J1(Q)
Numero di parte futuro	FT-TK60D08J1(Q)
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
TK60D08J1(Q) Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	75V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	60A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	86nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5450pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	140W (Tc)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220(W)
Pacchetto / caso	TO-220-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK60D08J1(Q) Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	TK60D08J1(Q)-FT

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