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Toshiba Semiconductor and Storage TK50E06K3A,S1X(S

Name: TK50E06K3A,S1X(S
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK50E06K3A,S1X(S
Availability: InStock
Rating: 4.6 (197 reviews)

Numero parte MFG: TK50E06K3A,S1X(S

quantità disponibile: 61200 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione: U-MOSIV MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: TK50E06K3A,S1X(S.pdf

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TK50E06K3A,S1X(S specificazioni

codice articolo del costruttore	TK50E06K3A,S1X(S
Numero di parte futuro	FT-TK50E06K3A,S1X(S
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	U-MOSIV
TK50E06K3A,S1X(S Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	50A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	54nC @ 10V
Vgs (massimo)	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	-
temperatura di esercizio	-
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220-3
Pacchetto / caso	TO-220-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK50E06K3A,S1X(S Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	TK50E06K3A,S1X(S-FT

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