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Toshiba Semiconductor and Storage TK25E06K3,S1X(S

Name: TK25E06K3,S1X(S
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK25E06K3,S1X(S
Price: 0.74368 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (723 reviews)

Numero parte MFG: TK25E06K3,S1X(S

quantità disponibile: 76430 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.74368

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione: U-MOSIV MOSFET N-CH 60V 25A TO-220AB

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: TK25E06K3,S1X(S.pdf

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TK25E06K3,S1X(S specificazioni

codice articolo del costruttore	TK25E06K3,S1X(S
Numero di parte futuro	FT-TK25E06K3,S1X(S
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	U-MOSIV
TK25E06K3,S1X(S Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	25A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 10V
Vgs (massimo)	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	60W (Tc)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220-3
Pacchetto / caso	TO-220-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK25E06K3,S1X(S Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	TK25E06K3,S1X(S-FT

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