casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SCT2120AFC
codice articolo del costruttore | SCT2120AFC |
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Numero di parte futuro | FT-SCT2120AFC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SCT2120AFC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 29A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 18V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 156 mOhm @ 10A, 18V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 3.3mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 61nC @ 18V |
Vgs (massimo) | +22V, -6V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 500V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 165W (Tc) |
temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SCT2120AFC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SCT2120AFC-FT |
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