casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SPU30N03S2-08
codice articolo del costruttore | SPU30N03S2-08 |
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Numero di parte futuro | FT-SPU30N03S2-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
SPU30N03S2-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 85µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2170pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 125W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | P-TO251-3-1 |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPU30N03S2-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SPU30N03S2-08-FT |
IRFH8334TR2PBF
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IRFH8337TR2PBF
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