casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFHM8228TRPBF
codice articolo del costruttore | IRFHM8228TRPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRFHM8228TRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFHM8228TRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 19A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1667pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.8W (Ta), 34W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFHM8228TRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFHM8228TRPBF-FT |
BSC123N10LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC12DN20NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC13DN30NSFDATMA1
Infineon Technologies
BSC152N10NSFGATMA1
Infineon Technologies
BSC159N10LSFGATMA1
Infineon Technologies
BSC190N12NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC190N15NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC196N10NSGATMA1
Infineon Technologies
BSC200P03LSGAUMA1
Infineon Technologies
BSC205N10LS G
Infineon Technologies
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
EP4S100G5F45I3
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel