casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFHM4231TRPBF
codice articolo del costruttore | IRFHM4231TRPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRFHM4231TRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFHM4231TRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 35µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1270pF @ 13V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.7W (Ta), 29W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PQFN (3x3) |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFHM4231TRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFHM4231TRPBF-FT |
BSC119N03S G
Infineon Technologies
BSC120N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSC123N10LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC12DN20NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC13DN30NSFDATMA1
Infineon Technologies
BSC152N10NSFGATMA1
Infineon Technologies
BSC159N10LSFGATMA1
Infineon Technologies
BSC190N12NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC190N15NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC196N10NSGATMA1
Infineon Technologies
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel