casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFHM831TR2PBF
codice articolo del costruttore | IRFHM831TR2PBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRFHM831TR2PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFHM831TR2PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 14A (Ta), 40A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.8 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1050pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 27W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PQFN (3x3) |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFHM831TR2PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFHM831TR2PBF-FT |
BSC13DN30NSFDATMA1
Infineon Technologies
BSC152N10NSFGATMA1
Infineon Technologies
BSC159N10LSFGATMA1
Infineon Technologies
BSC190N12NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC190N15NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC196N10NSGATMA1
Infineon Technologies
BSC200P03LSGAUMA1
Infineon Technologies
BSC205N10LS G
Infineon Technologies
BSC22DN20NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC240N12NS3 G
Infineon Technologies
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
Intel
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
5SGXMB5R1F43C1N
Intel
EP4CGX15BF14I7N
Intel
XC6VLX195T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
Intel