casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SPP100N03S2L03

| codice articolo del costruttore | SPP100N03S2L03 |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-SPP100N03S2L03 |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | OptiMOS™ |
| SPP100N03S2L03 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 80A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 220nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8180pF @ 25V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3-1 |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SPP100N03S2L03 Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | SPP100N03S2L03-FT |

IPP65R310CFDAAKSA1
Infineon Technologies

IPP65R380C6XKSA1
Infineon Technologies

IPP65R380E6XKSA1
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IPP65R420CFDXKSA1
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IPP65R600C6XKSA1
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IPP65R600E6XKSA1
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IPP65R660CFDAAKSA1
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IPP65R660CFDXKSA1
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IPP70N04S307AKSA1
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IPP70N10S3L12AKSA1
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M2GL025-1FG484I
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APA600-BG456M
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APA450-FG256
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A3P400-1FG256
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XC2V4000-4FFG1152I
Xilinx Inc.

LFE2M20E-6FN256I
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LCMXO2-1200UHC-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-4000HC-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation

EP3SE110F780C4L
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10CL080YF780C6G
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