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codice articolo del costruttore | SPD50N03S2L06GBTMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-SPD50N03S2L06GBTMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
SPD50N03S2L06GBTMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.4 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 85µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2530pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 136W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPD50N03S2L06GBTMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SPD50N03S2L06GBTMA1-FT |
IPD70N04S3-07
Infineon Technologies
IPD70N10S312ATMA1
Infineon Technologies
IPD70N10S3L12ATMA1
Infineon Technologies
IPD70R1K4CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD70R1K4P7SAUMA1
Infineon Technologies
IPD70R2K0CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD70R360P7SAUMA1
Infineon Technologies
IPD70R600CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD70R600P7SAUMA1
Infineon Technologies
IPD70R900P7SAUMA1
Infineon Technologies
LFEC3E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX24-3PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XCS40-4BG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3CSG324C
Xilinx Inc.
APA750-FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B7U15C8N
Intel