casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPD70N04S3-07
codice articolo del costruttore | IPD70N04S3-07 |
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Numero di parte futuro | FT-IPD70N04S3-07 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPD70N04S3-07 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 82A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 70A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 50µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2700pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 79W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD70N04S3-07 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPD70N04S3-07-FT |
IPD50N06S214ATMA1
Infineon Technologies
IPD50N06S214ATMA2
Infineon Technologies
IPD50N06S2L13ATMA1
Infineon Technologies
IPD50N06S2L13ATMA2
Infineon Technologies
IPD50N06S409ATMA1
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IPD50N06S409ATMA2
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IPD50N06S4L08ATMA1
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IPD50N06S4L08ATMA2
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IPD50N06S4L12ATMA1
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IPD50N10S3L16ATMA1
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A3PE600-1FG256I
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A3P1000-2PQ208
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ICE65L04F-LCB132C
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A40MX02-PLG68M
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Microchip Technology
EP3CLS200F780I7
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