casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPD70R2K0CEAUMA1
codice articolo del costruttore | IPD70R2K0CEAUMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPD70R2K0CEAUMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPD70R2K0CEAUMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 700V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 70µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.8nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 163pF @ 100V |
Caratteristica FET | Super Junction |
Dissipazione di potenza (max) | 42W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD70R2K0CEAUMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPD70R2K0CEAUMA1-FT |
IPD50N06S409ATMA2
Infineon Technologies
IPD50N06S4L08ATMA1
Infineon Technologies
IPD50N06S4L08ATMA2
Infineon Technologies
IPD50N06S4L12ATMA1
Infineon Technologies
IPD50N10S3L16ATMA1
Infineon Technologies
IPD50P03P4L11ATMA1
Infineon Technologies
IPD50R1K4CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD50R1K4CEBTMA1
Infineon Technologies
IPD50R280CEATMA1
Infineon Technologies
IPD50R280CEAUMA1
Infineon Technologies
XC6SLX45-3FG676C
Xilinx Inc.
XC4005L-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-7FG456C
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG484C
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LFE5UM5G-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2N
Intel
LFEC1E-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F780C6N
Intel