casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPD70R900P7SAUMA1
codice articolo del costruttore | IPD70R900P7SAUMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPD70R900P7SAUMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P7 |
IPD70R900P7SAUMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 700V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900 mOhm @ 1.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 60µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 211pF @ 400V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 30.5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD70R900P7SAUMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPD70R900P7SAUMA1-FT |
IPD50N10S3L16ATMA1
Infineon Technologies
IPD50P03P4L11ATMA1
Infineon Technologies
IPD50R1K4CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD50R1K4CEBTMA1
Infineon Technologies
IPD50R280CEATMA1
Infineon Technologies
IPD50R280CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD50R280CEBTMA1
Infineon Technologies
IPD50R2K0CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD50R2K0CEBTMA1
Infineon Technologies
IPD50R380CEATMA1
Infineon Technologies
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL010-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256M
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3L
Intel
5SGXMA9N2F45C2LN
Intel
XC7VX690T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC4VLX160-10FF1148C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FF896I
Xilinx Inc.