casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SPD30N03S2L10T
codice articolo del costruttore | SPD30N03S2L10T |
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Numero di parte futuro | FT-SPD30N03S2L10T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
SPD30N03S2L10T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 50µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41.8nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1550pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 100W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPD30N03S2L10T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SPD30N03S2L10T-FT |
IPD65R420CFDATMA1
Infineon Technologies
IPD65R420CFDBTMA1
Infineon Technologies
IPD65R600C6BTMA1
Infineon Technologies
IPD65R600E6ATMA1
Infineon Technologies
IPD65R600E6BTMA1
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Infineon Technologies
IPD65R650CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD65R660CFDAATMA1
Infineon Technologies
IPD65R660CFDATMA1
Infineon Technologies
IPD65R660CFDBTMA1
Infineon Technologies
LCMXO2-7000HE-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50TC144-3N
Intel
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
EP4SGX360KF43C2
Intel
XC7K70T-1FB484C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19A7N
Intel
EP1S40F780C5
Intel
EPF6024AQC240-3
Intel