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Infineon Technologies IPD65R660CFDBTMA1

Name: IPD65R660CFDBTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD65R660CFDBTMA1
Price: 0.558832 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (655 reviews)

Numero parte MFG: IPD65R660CFDBTMA1

quantità disponibile: 90130 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.558832

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fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: CoolMOS™ MOSFET N-CH 650V 6A TO252

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IPD65R660CFDBTMA1.pdf

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IPD65R660CFDBTMA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	IPD65R660CFDBTMA1
Numero di parte futuro	FT-IPD65R660CFDBTMA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	CoolMOS™
IPD65R660CFDBTMA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	660 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	615pF @ 100V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	62.5W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO252-3
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPD65R660CFDBTMA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IPD65R660CFDBTMA1-FT

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