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Infineon Technologies IPD65R600E6ATMA1

Numero parte MFG
IPD65R600E6ATMA1
quantità disponibile
45300 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.546888
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
CoolMOS™ E6 MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore IPD65R600E6ATMA1
Numero di parte futuro FT-IPD65R600E6ATMA1
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie CoolMOS™ E6
IPD65R600E6ATMA1 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Not For New Designs
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7.3A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 210µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 440pF @ 100V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 63W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO252-3
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPD65R600E6ATMA1 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IPD65R600E6ATMA1-FT

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