casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPD65R650CEAUMA1
codice articolo del costruttore | IPD65R650CEAUMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPD65R650CEAUMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ CE |
IPD65R650CEAUMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650 mOhm @ 2.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 210µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 86W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD65R650CEAUMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPD65R650CEAUMA1-FT |
IPD40N03S4L08ATMA1
Infineon Technologies
IPD49CN10N G
Infineon Technologies
IPD50N03S207ATMA1
Infineon Technologies
IPD50N03S2L06ATMA1
Infineon Technologies
IPD50N03S4L06ATMA1
Infineon Technologies
IPD50N04S308ATMA1
Infineon Technologies
IPD50N04S309ATMA1
Infineon Technologies
IPD50N06S214ATMA1
Infineon Technologies
IPD50N06S214ATMA2
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IPD50N06S2L13ATMA1
Infineon Technologies
A3P030-2QNG68I
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A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484C7
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EP2AGX125DF25C4N
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EP2AGX65DF25C5
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5CEBA5U19C8N
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EP1C20F324I7N
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