casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / SMUN5113DW1T1G
codice articolo del costruttore | SMUN5113DW1T1G |
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Numero di parte futuro | FT-SMUN5113DW1T1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SMUN5113DW1T1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 187mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMUN5113DW1T1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SMUN5113DW1T1G-FT |
NSBC124XDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC124XPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC124XPDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC143EDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC143EPDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC143TDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC143TPDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC143TPDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC143ZDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC143ZPDXV6T5
ON Semiconductor
XC4006E-3PQ208I
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FG484I
Xilinx Inc.
EP20K200CF672C7ES
Intel
5SGSED8N2F45I3N
Intel
5SGXEA7H1F35C1N
Intel
AGLP030V5-CS289
Microsemi Corporation
AGL1000V2-FGG144T
Microsemi Corporation
EP2AGX260FF35C6NES
Intel
EP4SGX290FF35I4
Intel
EP1SGX25FF1020I6N
Intel