casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / SMUN5113DW1T1G
codice articolo del costruttore | SMUN5113DW1T1G |
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Numero di parte futuro | FT-SMUN5113DW1T1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SMUN5113DW1T1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 187mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMUN5113DW1T1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SMUN5113DW1T1G-FT |
NSBC124XDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC124XPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC124XPDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC143EDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC143EPDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC143TDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC143TPDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC143TPDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC143ZDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC143ZPDXV6T5
ON Semiconductor
A42MX16-2PQG100I
Microsemi Corporation
EP2S30F484I4N
Intel
5SGXEA7N3F40I4N
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
A1020B-2PL44I
Microsemi Corporation
XC7A75T-1CS324I
Xilinx Inc.
LFE2-12E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C20F400C8N
Intel
EP1SGX40DF1020C7N
Intel