casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / NSBC124XPDXV6T5G
codice articolo del costruttore | NSBC124XPDXV6T5G |
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Numero di parte futuro | FT-NSBC124XPDXV6T5G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSBC124XPDXV6T5G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 500mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-563 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSBC124XPDXV6T5G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSBC124XPDXV6T5G-FT |
NSBC143ZPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC144EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC143TPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC143ZDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC124EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC124XDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC123JPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC114YPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC124EPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBC123JPDXV6T1G
ON Semiconductor
XC4006E-2TQ144C
Xilinx Inc.
EP3SL50F484I4N
Intel
5SGXEA3K3F40C2LN
Intel
10M50DAF672C6G
Intel
10AX048H2F34I2LG
Intel
10AX027H3F35E2LG
Intel
XC2V1500-4BGG575I
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG144
Microsemi Corporation
LFEC3E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX110DF29C3
Intel