casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / NSBC143TDXV6T1
codice articolo del costruttore | NSBC143TDXV6T1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-NSBC143TDXV6T1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSBC143TDXV6T1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 500mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-563 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSBC143TDXV6T1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSBC143TDXV6T1-FT |
NSBC143ZDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC124EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC124XDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC123JPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC114YPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC124EPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBC123JPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC124EPDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC144EPDXV6T5G
ON Semiconductor
NSVBC143ZPDXV6T5G
ON Semiconductor
XC6SLX16-2FT256C
Xilinx Inc.
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A40MX02-3PLG68I
Microsemi Corporation
5CGXFC4C6F27C6N
Intel
5SGSED6K3F40C2L
Intel
EP4SE530F43I3N
Intel
A42MX09-3PL84
Microsemi Corporation
APA450-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VRC240-1N
Intel