casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / SMBT3906E6327HTSA1
codice articolo del costruttore | SMBT3906E6327HTSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-SMBT3906E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SMBT3906E6327HTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V |
Potenza - Max | 330mW |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMBT3906E6327HTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SMBT3906E6327HTSA1-FT |
2SD1445AQ
Panasonic Electronic Components
2SD14740P
Panasonic Electronic Components
2SD14990P
Panasonic Electronic Components
2SD1535
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2SD16330P
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2SD1773
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2SD20000P
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2SD2012
STMicroelectronics
2SD2129,ALPSQ(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2129,LS4ALPSQ(M
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO2-1200ZE-1TG100CR1
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
A3P600-2PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EFC672-3
Intel
5SGSED8K3F40C2LN
Intel
EP3SE80F1152I3
Intel
XA7A50T-1CSG324I
Xilinx Inc.
EPF10K200SBC356-1X
Intel