codice articolo del costruttore | 2SD2012 |
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Numero di parte futuro | FT-2SD2012 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SD2012 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 200mA, 2A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 500mA, 5V |
Potenza - Max | 25W |
Frequenza - Transizione | 3MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SD2012 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SD2012-FT |
2SA1931,NETQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1931,NETQ(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1931,NIKKIQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1931,NSEIKIQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1931,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1931,SINFQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA20570P
Panasonic Electronic Components
2SA2099
ON Semiconductor
2SA21400P
Panasonic Electronic Components
2SA21400Q
Panasonic Electronic Components
LCMXO2-1200ZE-2TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100
Microsemi Corporation
EP3C55U484C7N
Intel
5SGXEA9N3F45I4N
Intel
AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-4FT324C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5
Intel
EP2S130F1020C3
Intel