casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SD14990P
codice articolo del costruttore | 2SD14990P |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-2SD14990P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SD14990P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 300mA, 3A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1A, 5V |
Potenza - Max | 2W |
Frequenza - Transizione | 20MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F-A1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SD14990P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SD14990P-FT |
2SA1930,ONKQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1930,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1931(NOMARK,A,Q
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1931,BOSCHQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1931,KEHINQ(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1931,NETQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1931,NETQ(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1931,NIKKIQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1931,NSEIKIQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1931,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage
XCV600-5FG676I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP3C120F484I7
Intel
EP1K10FI256-2
Intel
5SGXEA5K3F40I4N
Intel
10M40DAF672I7G
Intel
XC5VSX95T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN324C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation