casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SD2129,LS4ALPSQ(M
codice articolo del costruttore | 2SD2129,LS4ALPSQ(M |
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Numero di parte futuro | FT-2SD2129,LS4ALPSQ(M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SD2129,LS4ALPSQ(M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 12mA, 3A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 2000 @ 1.5A, 3V |
Potenza - Max | 2W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220NIS |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SD2129,LS4ALPSQ(M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SD2129,LS4ALPSQ(M-FT |
2SA1931,NIKKIQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1931,NSEIKIQ(J
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2SA1931,Q(J
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2SA1931,SINFQ(J
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2SA21400Q
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2SA2210
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2SA2210-EPN-1EX
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AFS600-2FG256I
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APA600-FG256I
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5CEFA7M15I7N
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XC2V2000-5BG575I
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A42MX16-TQG176I
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M1A3P1000-2FGG144
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LFEC10E-3FN256I
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LCMXO640E-5M100C
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AT40K10LV-3AJI
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EP2SGX30CF780C4
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