casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SI5975DC-T1-E3
codice articolo del costruttore | SI5975DC-T1-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI5975DC-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI5975DC-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.1A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 86 mOhm @ 3.1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 450mV @ 1mA (Min) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potenza - Max | 1.1W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1206-8 ChipFET™ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI5975DC-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI5975DC-T1-E3-FT |
SI7945DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7945DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7946DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7946DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7948DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7958DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7958DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7960DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7960DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7964DP-T1-E3
Vishay Siliconix
AGL400V5-FGG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-1FG256I
Microsemi Corporation
LFE2M100SE-5FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C55U484I7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
5SGXMA7K2F40I3N
Intel
XC7VX690T-2FFG1926C
Xilinx Inc.
LFEC20E-3FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180FF35I4
Intel