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Vishay Siliconix SI5915DC-T1-E3

Numero parte MFG
SI5915DC-T1-E3
quantità disponibile
60100 pezzi
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fabbricante
Vishay Siliconix
Breve descrizione
TrenchFET® MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
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360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-SI5915DC-T1-E3
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie TrenchFET®
SI5915DC-T1-E3 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET 2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Potenza - Max 1.1W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore 1206-8 ChipFET™
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI5915DC-T1-E3 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio SI5915DC-T1-E3-FT

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