casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SI5933CDC-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI5933CDC-T1-GE3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SI5933CDC-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI5933CDC-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.7A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 144 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8nC @ 5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 276pF @ 10V |
Potenza - Max | 2.8W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1206-8 ChipFET™ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI5933CDC-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI5933CDC-T1-GE3-FT |
SI7940DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7940DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7942DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7942DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7945DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7945DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7946DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7946DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7948DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7958DP-T1-E3
Vishay Siliconix
XC2S200-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2S300E-6PQG208C
Xilinx Inc.
A3P250-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD4E3H29C3N
Intel
5AGXMA1D6F27C6N
Intel
XC2VP50-6FF1148I
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-3BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C6N
Intel
EPF8636AQC160-4N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel