casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SIPC05N80C3X1SA2
codice articolo del costruttore | SIPC05N80C3X1SA2 |
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Numero di parte futuro | FT-SIPC05N80C3X1SA2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
SIPC05N80C3X1SA2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | - |
Tecnologia | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Pacchetto / caso | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIPC05N80C3X1SA2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIPC05N80C3X1SA2-FT |
PSMN018-100ESFQ
Nexperia USA Inc.
PSMN018-100PSFQ
Nexperia USA Inc.
PSMN0R9-30ULDX
Nexperia USA Inc.
PSMN1R0-40ULDX
Nexperia USA Inc.
PSMN1R6-60CLJ
Nexperia USA Inc.
PSMN2R1-60CSJ
Nexperia USA Inc.
PSMN3R7-100BSEJ
Nexperia USA Inc.
PSMN4R1-60YLX
Nexperia USA Inc.
PSMN5R6-100YSFQ
Nexperia USA Inc.
PSMN5R6-100YSFX
Nexperia USA Inc.
LCMXO2-7000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
Intel