casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PSMN5R6-100YSFX
codice articolo del costruttore | PSMN5R6-100YSFX |
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Numero di parte futuro | FT-PSMN5R6-100YSFX |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PSMN5R6-100YSFX Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 158A |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 294W |
temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK56, Power-SO8 |
Pacchetto / caso | SOT-1023, 4-LFPAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN5R6-100YSFX Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PSMN5R6-100YSFX-FT |
NP89N04MUK-S18-AY
Renesas Electronics America
NP89N04NUK-S18-AY
Renesas Electronics America
NP89N04PUK-E1-AY
Renesas Electronics America
NP89N055NUK-S18-AY
Renesas Electronics America
NP89N055PUK-E1-AY
Renesas Electronics America
NP90N04MUK-S18-AY
Renesas Electronics America
NP90N04NUK-S18-AY
Renesas Electronics America
NP90N055MUK-S18-AY
Renesas Electronics America
NP90N055NUK-S18-AY
Renesas Electronics America
NP95N03ZUGP-E1
Renesas Electronics America
LCMXO2-640HC-4SG48C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQG144
Microsemi Corporation
XC6SLX75T-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152E
Microsemi Corporation
A40MX04-FPL68
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F45C3N
Intel
LFXP6E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H3F35C4N
Intel