casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PSMN5R6-100YSFQ
codice articolo del costruttore | PSMN5R6-100YSFQ |
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Numero di parte futuro | FT-PSMN5R6-100YSFQ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PSMN5R6-100YSFQ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | - |
Tecnologia | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Pacchetto / caso | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN5R6-100YSFQ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PSMN5R6-100YSFQ-FT |
NP89N03ZUGW-U
Renesas Electronics America
NP89N04MUK-S18-AY
Renesas Electronics America
NP89N04NUK-S18-AY
Renesas Electronics America
NP89N04PUK-E1-AY
Renesas Electronics America
NP89N055NUK-S18-AY
Renesas Electronics America
NP89N055PUK-E1-AY
Renesas Electronics America
NP90N04MUK-S18-AY
Renesas Electronics America
NP90N04NUK-S18-AY
Renesas Electronics America
NP90N055MUK-S18-AY
Renesas Electronics America
NP90N055NUK-S18-AY
Renesas Electronics America
LFXP3C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V4000-5FF1517I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG256
Microsemi Corporation
M2GL025TS-VFG256
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
5SGSED8N3F45I3LN
Intel
5SGXEB5R1F43I2N
Intel
AGL1000V5-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
Intel